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芯片立体架构器件 (3D Architecture Devi...

在先进半导体三维集成工艺中，芯片立体架构器件（3D Architecture Device）的纳米级微观表面粗糙度，是决定器件电学指标（Electrical In...

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USI 白光扫描：多层微纳工件形貌检测数据异常（Data A...

一、概述本文基于设备原厂手册及公开技术资料，针对半导体低反透明介质/高反金属基底复合结构，剖析USI（通用扫描干涉，Universal Scanning Inte...

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白光干涉仪测量精度易实现，大视场 高精度协同更具学术价值

白光干涉仪（White Light Interferometer, WLI）依托短相干干涉原理，亚纳米级垂直测量精度较容易在小视场条件下达成。小视场检测模式多用于...

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芯片浅沟槽隔离 (Shallow Trench Isolat...

浅沟槽隔离（Shallow Trench Isolation, STI）是CMOS器件核心电学隔离结构，核心原理为依托沟槽内填充氧化层，实现芯片有源区之间的绝缘隔...

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